電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor,FET)は、
バイポーラトランジスタと同じく半導体の性質を利用して、
電気の流れを増幅したり、オン/オフする素子です。
バイポーラトランジスタに比べて自己消費電力が少なく、
そのうえ高速動作するのが特徴ですが、動作原理が異なります。
用途 : 大電流スイッチング モーター駆動
メーカー IR ( International Rectifier )
Nチャンネル MOSパワーFET 生産中止品
ドレイン・ソース間電圧(VDSS) : 55V
ゲート・ソース間電圧(VGSS) : ±20V
定格ドレイン電流(ID) : (DC) 29A (PULSE) 100A
ゲート駆動電圧 : 4V(ロジックレベル)
許容損失(PD) : 68W
オン抵抗(RDSon) : 0.04Ω(VGS:10V ID=16A)
IRFZ34NL 生産中止品 在庫限り
- 品番: IRFZ34NL
- 在庫: 500
-
¥120円
-
- 50 点以上ご注文の場合 ¥100円