電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor,FET）は、

バイポーラトランジスタと同じく半導体の性質を利用して、

電気の流れを増幅したり、オン/オフする素子です。

バイポーラトランジスタに比べて自己消費電力が少なく、

そのうえ高速動作するのが特徴ですが、動作原理が異なります。

用途　：　高速スイッチング　モーター・リレー駆動

メーカー　東芝

Ｎチャンネル　ＭＯＳパワーＦＥＴ　　　生産中止品

ドレイン・ソース間電圧（VDSS)　：　６０Ｖ

ゲート・ソース間電圧（VGSS) 　：　±２０Ｖ

定格ドレイン電流（ID)　：　(DC) ０.８Ａ　(PULSE) ２.４Ａ

ゲート駆動電圧　　　　：　４Ｖ（ロジックレベル）

許容損失（PD）　：　０.９Ｗ

オン抵抗（RDSon)　：　０．４Ω（VGS:10V ID=0.4A)