電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor,FET）は、
バイポーラトランジスタと同じく半導体の性質を利用して、
電気の流れを増幅したり、オン/オフする素子です。
バイポーラトランジスタに比べて自己消費電力が少なく、
そのうえ高速動作するのが特徴ですが、動作原理が異なります。
用途 ： 高電圧スイッチング モーター駆動
メーカー ： 東芝
Ｎチャンネル ＭＯＳパワーＦＥＴ
ドレイン・ソース間電圧（VDSS) ： ９００Ｖ
ゲート・ソース間電圧（VGSS) ： ±２０Ｖ
定格ドレイン電流（ID) ： (DC) ３Ａ (PULSE) ５Ａ
ゲート駆動電圧 ： ４Ｖ（ロジックレベル）
許容損失（PD） ： １００Ｗ
オン抵抗（RDSon) ： ３．３Ω（VGS:10V ID=1.5A)
2SK792 生産中止品 在庫限り
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