電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor,FET)は、
バイポーラトランジスタと同じく半導体の性質を利用して、
電気の流れを増幅したり、オン/オフする素子です。
バイポーラトランジスタに比べて自己消費電力が少なく、
そのうえ高速動作するのが特徴ですが、動作原理が異なります。
用途 : 高電圧大電流スイッチング
メーカー 日立
Nチャンネル MOSパワーFET 生産中止品
ドレイン・ソース間電圧(VDSS) : 900V
ゲート・ソース間電圧(VGSS) : ±30V
定格ドレイン電流(ID) : (DC) 10A (PULSE) 30A
ゲート駆動電圧 : 4V(ロジックレベル)
許容損失(PD) : 150W
オン抵抗(RDSon) : 0.9Ω(VGS:10V ID=5A)
2SK1933 生産中止品 在庫限り
- 品番: 2SK1933
- 在庫: 180
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¥400円
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- 20 点以上ご注文の場合 ¥320円