半導体の性質を利用して、電気の流れを増幅したり、オン/オフする素子です。
半導体の構成や組み合わせで様々な特性のトランジスタが存在します。
用途 ： 低周波増幅
メーカー 東芝セミコンダクタ 
ＮＰＮ三重拡散型シリコントランジスタ 生産中止品
コレクタ・ベース間電圧（VCBO) ： ６０Ｖ
コレクタ・エミッタ間電圧（VCEO) ： ６０Ｖ
エミッタ・ベース間電圧（VEBO) ： ７Ｖ
定格コレクタ電流（IC) ： ３Ａ
コレクタ損失（PD、PC） ： ２５Ｗ
直流電流増幅率（hfe) ： １００～３２０
使用温度範囲 ： －５５～１５０℃
パッケージ ： TO-220（アイソレーションタイプ）
2SD2012(F) トランジスタ NPN
- 品番: 2SD2012(F)
- 在庫: 350
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￥80円
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- 50 点以上ご注文の場合 ￥42円